中频逆变点焊机采用功率半导体器件作为功率源，其关键技术在于选择合适的功率半导体器件、设计合理的电路拓扑结构和控制策略。

功率半导体器件包括功率MOSFET、IGBT、SiC等，在中频逆变点焊机中常用的是IGBT。IGBT具有功率大、速度快、开关损耗低等特点，适合于高频逆变器，同时也需要注意其热稳定性和阻尼电路的匹配。

电路拓扑结构包括全桥、半桥、单级和多级等，其中全桥逆变器应用广泛。在控制策略方面，采用电流控制或电压控制可以实现精准的焊接控制，同时需要保证对于瞬时电压反抑制的保护。

综上所述，功率半导体器件是中频逆变点焊机关键技术之一，在选择、匹配和应用方面都需要仔细考虑。